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J-GLOBAL ID：201702235979720691   整理番号：17A0067341

窒素ドープSIO薄膜トランジスタに及ぼす二重の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Double Channel Layers on the Performance of Nitrogen Doped Indium-zinc-oxide Thin Film Transistors

著者 (3件)： Wang Naiqian (Department of Material Science, Fudan University, National Engineering Lab of TFT-LCD Materials and Technologies) ,  Zhang Qun (Department of Material Science, Fudan University, National Engineering Lab of TFT-LCD Materials and Technologies) ,  Shieh Hanping (Department of Photonics, National Chiao Tung University)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 31  号： 7  ページ： 745-750  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： RF(A-IZO)と窒素ドープ酸化亜鉛(A-IZON)薄膜トランジスタ(熱)をRFマグネトロンスパッタリングによって調製し,デバイスの電気的性質と温度安定性に及ぼす二重の影響を研究した。研究により,A-IZO/IZONは,効果CM2/(V×S)の高い電界効果移動度を持ち,そして,その閾値電圧は,単一層A-IZO-TFTのそれより正であった。これらの結果は,窒素ドーピングが酸素空孔を減少させ,キャリア濃度を抑制し,より良い閾値電圧をもたらすことを示した。A-IZO層は窒素ドーピングによる電界効果移動度とゲート電流の低下を回避し,デバイスの電流オンオフを向上させた。298Kから423Kまでのデバイスの転移特性曲線から,二重は道層器件デバイスよりも温度安定性が良く,これはA-IZON層の保護作用に起因することが分かった。窒素ドーピングは,表面上の酸素の吸収/脱着反応を減少させ,デバイスの安定性を改善した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単一層 ,  電流 ,  酸化亜鉛 ,  特性曲線 ,  キャリア密度 ,  保護作用 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸素
準シソーラス用語： ゲート電流 ,  酸素空格子点 ,  閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  温度安定性 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： double channel layers ,  nitrogen doped ,  thermal stability ,  thin film transistors

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒素ドープ ,  SiO ,  薄膜トランジスタ