グラフェン表面のH<sub>2</sub>-とCl<sub>2</sub>-系の誘導結合プラズマを利用するクリーニングのXPSによる研究

Ferrah D.; Ferrah D.; Ferrah D.; Renault O.; Renault O.; Petit-Etienne C.; Petit-Etienne C.; Okuno H.; Okuno H.; Berne C.; Berne C.; Bouchiat V.; Bouchiat V.; Cunge G.; Cunge G.

文献

J-GLOBAL ID：201702236010443849 整理番号：17A0211056

グラフェン表面のH₂-とCl₂-系の誘導結合プラズマを利用するクリーニングのXPSによる研究

XPS investigations of graphene surface cleaning using H₂- and Cl₂-based inductively coupled plasma

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資料名：
巻： 48 号： 7 ページ： 451-455 発行年： 2016年07月
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

グラフェンの表面の残留物による汚染は,その固有の特性に劇的に影響し,化学気相成長グラフェン(CVD)が他の基質に移行されるとき,回避されないことが知られている。本研究で筆者らは,グラフェンをクリーンにするための高密度プラズマの性能をX線光電子分光法とX線光電子放出電子顕微鏡を利用する仕事関数測定によって調べた。表面での種々の化学種の生成が,プラズマ曝露の関数としてモニターされる。H₂プラズマは,Cuの表面でのCVDグラフェンからPMMA残留物を効率的にクリーンにすることが示される。しかし,同じプラズマが,SiO₂/Si基板上に移行されたグラフェンに用いるとき,グラフェン層の離昇がクリーニングが終わる前に観察される。これらの結果が,グラフェンに浸透するH⁺とSiO₂基板とグラフェンの間でのH₂の生成の点から議論される。塩素の化学を利用し,筆者らは,このプラズマが,グラフェン表面でポリマーの汚染をエッチング処理できることを見い出した。また,このプラズマが,クリーニング過程を妨げるSiナノ粒子の汚染の拡大を誘起することも見い出された。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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固体の表面構造一般 , 固体デバイス製造技術一般

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グラフェン表面のH2-とCl2-系の誘導結合プラズマを利用するクリーニングのXPSによる研究

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