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J-GLOBAL ID：201702236082317994   整理番号：17A0124426

遷移金属原子吸着した2次元GaAsナノシートの構造的,電子的および磁気的性質【Powered by NICT】

Structural, electronic, and magnetic properties of transition-metal atom adsorbed two-dimensional GaAs nanosheet

著者 (5件)： Luo Jia (College of Physical Science and Technology, Sichuan University) ,  Xiang Gang (College of Physical Science and Technology, Sichuan University) ,  Yu Tian (College of Physical Science and Technology, Sichuan University) ,  Lan Mu (College of Physical Science and Technology, Sichuan University) ,  Zhang Xi (College of Physical Science and Technology, Sichuan University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 9  ページ： 097305-1-097305-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論の枠内で第一原理計算を用いて,3d遷移金属(TM)原子の電子的及び磁気的性質(ScからZn)吸着単分子層GaAsナノシート(GaAsNSs)を系統的に調べた。TM原子が吸着すると,非磁性半導体である,GaAsNS磁性半導体(Sc,V,Fe吸着),半金属(Mn吸着),あるいは金属(CoとCu吸着)に調整することができた。著者らの計算は,TM原子の3d軌道と隣接するAs原子の4p軌道の間の強いp-dハイブリダイゼーションは,化学結合の形成とSc,V,Fe吸着GaAsNSsにおける磁性の起源の原因となることを示した。しかし,それ以上の不対電子を持つMnの3d軌道と4p軌道のみならずGa4p軌道と混成しており,強い交換相互作用をもたらした。著者らの結果は,GaAsNSベース材料の電子的および磁気的応用に有用である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ素 ,  不対電子 ,  単分子層 ,  *二次元 ,  密度汎関数法 ,  マンガン ,  磁性半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  交換相互作用 ,  半金属 ,  *吸着 ,  *磁気 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  *原子吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaAsナノシート ,  吸着 ,  遷移金属原子 ,  磁気的性質

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 遷移金属 ,  原子吸着 ,  2次元 ,  GaAs ,  ナノシート ,  電子 ,  磁気的性質