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J-GLOBAL ID：201702236211708227   整理番号：17A0499172

温度の関数としての単層グラフェン上のrr-P3HTの結晶化速度論のin situプローブ

In situ probing of the crystallization kinetics of rr-P3HT on single layer graphene as a function of temperature

著者 (5件)： Boulanger Nicolas (Nano-Engineered Materials and Organic Electronics Laboratory, Umea Universitet, Umea 90187, Sweden. [e-mail]) ,  Yu Victor ,  Hilke Michael ,  Toney Michael F. ,  Barbero David R.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 12  ページ： 8496-8503  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層グラフェンおよびシリコンの両方の上の高度に位置規則性のある半導体高分子ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)の分子充填および結晶化を,温度の関数として,溶融からの冷却の間で調べた。結晶化の開始,微結晶のサイズ,配向,および生成速度論を,シンクロトロンすれすれ角入射X線回折(GIXD)によって冷却の間in situに測定し,各表面上での非常に異なる結晶化プロセスを明らかにした。グラフェン上では200°Cの温度で面外π-πスタッキングをもつ結晶配向が有利に形成されるが,シリコン上では185°Cで真横向きの配向の最初の微結晶が形成される。正面向きのラメラの結晶化は2つの驚くべき効果を冷却の間の示す:(a) 60°Cより下では一定の低い値のπ-π間隔があり;(b) 100から30°Cでは,正面向きのラメラのコヒーレンス長は半分に減少し,面内(k00)回折ピークの2次あるいは3次の減退に対応する。正面向き配向の真横向きの配向に対する最終の比率は,グラフェンでは40%,シリコンでは2%であり,結晶化機構が非常に異なることを示している。これらの結果は,異なる化学とポリチオフェン高分子鎖との分子間相互作用が,どのように異なる結晶化プロセスとなるか,特定のエレクトロニクス応用への微結晶あるいは配向をもたらすかの理解をさらに進めることになる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *温度依存性 ,  *グラフェン ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *晶析速度 ,  *ケイ素 ,  規則度 ,  分子充填 ,  X線回折 ,  すれすれ入射 ,  分子間相互作用 ,  ラメラ ,  コヒーレンス長
準シソーラス用語： *単層グラフェン ,  *ポリ(3-ヘキシルチオフェン) ,  *結晶化速度論 ,  *シリコン ,  位置規則性 ,  シンクロトロンX線回折 ,  すれすれ角入射 ,  π-πスタッキング

分類 (2件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 温度の関数 ,  単層グラフェン ,  結晶化速度論 ,  プローブ