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J-GLOBAL ID：201702236254723666   整理番号：17A0203768

HfO_2~をベースにしたデバイスにおける自己コンプライアンスマルチレベル貯蔵特性【Powered by NICT】

Self-compliance multilevel storage characteristic in HfO_2-based device

著者 (5件)： Gao Xiaoping (Institute of Sensor Technology, Gansu Academy of Sciences) ,  Fu Liping (Cuiying Honors College, Lanzhou University) ,  Chen Chuanbing (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University) ,  Yuan Peng (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University) ,  Li Yingtao (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 106102-1-106102-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,マルチレベル記録のためのAg/HfO_2/Au構造を持つHfO_2~ベースメモリ素子の自己コンプライアンスバイポーラ抵抗スイッチング特性を調べた。正電圧を印加することにより,三つの安定な抵抗状態に対応する二段階集合プロセスはデバイスで観察された。マルチレベルスイッチング特性は,48時間後に観察された。添加では,すべての三つの状態の抵抗値は104秒以上にわたる無視できる劣化,不揮発性多値記憶への応用に有用である可能性を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非揮発性 ,  *記憶素子 ,  電圧
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  スイッチング特性 ,  *マルチレベル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 抵抗スイッチング ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  マルチレベル ,  自己内服

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己 ,  コンプライアンス ,  マルチレベル ,  貯蔵