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J-GLOBAL ID：201702236368766128   整理番号：17A0325142

単結晶ビスマスナノ細線における半導体転移と高分子電解質ゲート変調への半金属【Powered by NICT】

Semimetal to semiconductor transition and polymer electrolyte gate modulation in single-crystalline bismuth nanowires

著者 (2件)： Kim Jeongmin (Department of Materials Science and Engineering Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemoon-gu 03722, Korea. [e-mail]) ,  Lee Wooyoung
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 2  ページ： 923-929  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低次元Biナノワイヤにおける-半導体転移半金属は量子閉込め効果,それは熱電性能の向上をもたらすに基づいて理論的に予測した。しかし,この転移はほとんどは典型的な電場効果により誘起された少なすぎる電荷キャリアがゲート変調の輸送特性で観察された。本論文では,ポリエチレンオキシド/LiClO_4-電解質ゲートを用いたBiナノワイヤにおけるオンオフ状態の観察,バックゲートよりもはるかに大きい影響を及ぼすについて報告した。表面状態のキャリア密度は以前に報告された結果と一致することが分かった。温度と直径依存ゲート変調により得られたBiナノワイヤの固有の性質についても考察した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *高分子電解質 ,  電場効果 ,  *ビスマス ,  *半金属 ,  *ナノワイヤ ,  *半導体 ,  キャリア密度 ,  量子閉込め ,  *単結晶 ,  *電解質
準シソーラス用語： バックゲート ,  オフ状態 ,  輸送特性 ,  電荷キャリア ,  低次元 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単結晶 ,  ビスマス ,  ナノ細線 ,  高分子電解質 ,  ゲート ,  変調 ,  半金属