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J-GLOBAL ID：201702236522643986   整理番号：17A0399655

βGa_2O_3結晶の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of β-Ga₂O₃ crystals

著者 (16件)： Nikolaev V.I. (Perfect Crystals LLC, 28 Politekhnicheskaya Str., 194064 St. Petersburg, Russia) ,  Nikolaev V.I. (ITMO University, 49A Kronverkskiy Prospekt, 197101 St. Petersburg, Russia) ,  Nikolaev V.I. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Maslov V. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Stepanov S.I. (ITMO University, 49A Kronverkskiy Prospekt, 197101 St. Petersburg, Russia) ,  Stepanov S.I. (St. Petersburg Polytechnic University, 29 Politekhnicheskaya Str., 195251 St. Petersburg, Russia) ,  Pechnikov A.I. (Perfect Crystals LLC, 28 Politekhnicheskaya Str., 194064 St. Petersburg, Russia) ,  Pechnikov A.I. (ITMO University, 49A Kronverkskiy Prospekt, 197101 St. Petersburg, Russia) ,  Krymov V. (ITMO University, 49A Kronverkskiy Prospekt, 197101 St. Petersburg, Russia) ,  Krymov V. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Nikitina I.P. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Guzilova L.I. (ITMO University, 49A Kronverkskiy Prospekt, 197101 St. Petersburg, Russia) ,  Guzilova L.I. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., 194021 St. Petersburg, Russia) ,  Bougrov V.E. (ITMO University, 49A Kronverkskiy Prospekt, 197101 St. Petersburg, Russia) ,  Romanov A.E. (ITMO University, 49A Kronverkskiy Prospekt, 197101 St. Petersburg, Russia) ,  Romanov A.E. (Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., 194021 St. Petersburg, Russia)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 132-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,種々の基板上にβGa_2O_3バルク結晶と多結晶層の成長と特性評価について報告した。バルクβGa_2O_3結晶はサファイアるつぼ中のガリウム酸化物融液の自由結晶化により作製した。8mmまでの測定透明単結晶が得られた。~46”のX線回折ロッキングカーブFWHM値により確認された良好な構造品質。βGa_2O_3結晶のYoung率,せん断弾性率と硬さをナノインデンテーションおよびVickersマイクロインデンテーション法で測定した。多結晶βGa_2O_3膜を昇華法によりシリコンおよびサファイア基板上に堆積した。膜の構造と形態は基板の材料および配列に強く依存することが分かった。主に(111)配向した膜が得られた最良の結果はa面サファイア基板上に達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  ロッキングカーブ ,  サファイア ,  剛性率 ,  *ガリウム ,  ケイ素 ,  FWHM ,  硬度 ,  単結晶 ,  *結晶 ,  ナノインデンテーション ,  X線回折 ,  多結晶 ,  Young率
準シソーラス用語： サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A2気相からの成長 ,  A3物理蒸着過程 ,  B1ガリウム化合物 ,  B1酸化物 ,  B2半導性ガリウム化合物 ,  B2ワイドバンドギャップ半導体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶 ,  成長 ,  特性評価