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J-GLOBAL ID：201702236570554929   整理番号：17A0329086

その場3次元断層撮影と有限要素モデリングを用いたエレクトロマイグレーションによるフリップチップはんだ接合における離散ボイド形成の研究【Powered by NICT】

Study of discrete voids formation in flip-chip solder joints due to electromigration using in-situ 3D laminography and finite-element modeling

著者 (9件)： Chang Yuan-Wei (ANKA/Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), Karlsruhe Institute of Technology (KIT), 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Cheng Yin (ANKA/Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), Karlsruhe Institute of Technology (KIT), 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Xu Feng (ANKA/Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), Karlsruhe Institute of Technology (KIT), 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Helfen Lukas (ANKA/Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), Karlsruhe Institute of Technology (KIT), 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Tian Tian (Department of Materials Science and Engineering, UCLA, Los Angeles, California 90095-595, US) ,  Di Michiel Marco (ESRF The European Synchrotron, 71 avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Chen Chih (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsin-chu 30010, Taiwan, R.O.C.) ,  Tu King-Ning (Department of Materials Science and Engineering, UCLA, Los Angeles, California 90095-595, US) ,  Baumbach Tilo (ANKA/Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), Karlsruhe Institute of Technology (KIT), 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 141-146  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日,マイクロエレクトロニクス産業は広く実装密度を高めるためにフリップチップ技術を用いた。しかし,小さなサイズとフリップチップはんだ継手の独特の形状は,エレクトロマイグレーション(EM)信頼性問題を誘導する。本研究では,7.5×10~3cm~2の電流で試験したEMしたPbフリーはんだ接合(SAC1205)。試験中に,ミクロ組織変化を観察その場に適用した三次元(3D)X線断層撮影法。断層撮影法は非破壊観察を可能にし,三次元間の定量的解析を提供した。EM試験650時間後に,新しいEM故障機構は良く知られたモデル,パンケーキ型ボイド伝搬とアンダーバンプメタライゼーション溶解よりもむしろが分かった。異なる試験段階で断層撮影像によれば,多くのボイドが同時に形成され,試験の全過程で成長した。それらの大部分は,電流密集領域に分布したが,低電流密度領域に位置するはほとんどない。試験時間が増加すると,ボイドは大きく成長し,相互に合体し,最終的に界面を占め,EM故障をきたした大きな空隙となった。有限要素(FE)法もミクロ組織変化と電流密度再分布の間の相互作用を解析するために適用した。一連の3次元有限要素モデルを,種々の試験段階で断層撮影画像に基づいて構築した。FE解析からの電流密度分布は多重ボイド形成はボイドと合体まで地球電流密度分布に影響を与え,EM試験の後期段階では非常に大きな空隙となったないことを示した。パンケーキ型ボイドモデルにおける全球電流集中の緩和はこの新しいEM故障機構では見られなかった。EM遅延に関与する新しいモデルで見出された局所電流集中した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線CT ,  *はんだ付 ,  電流密度 ,  電流 ,  定量的分析 ,  マイクロエレクトロニクス ,  界面 ,  *エレクトロマイグレーション ,  *三次元 ,  *フリップチップ法 ,  *トモグラフィー
準シソーラス用語： 電流集中 ,  有限要素解析 ,  故障メカニズム ,  無鉛はんだ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 3次元 ,  断層撮影 ,  有限要素モデリング ,  エレクトロマイグレーション ,  フリップチップ ,  はんだ接合 ,  ボイド ,  研究