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J-GLOBAL ID:201702236574415821   整理番号:17A0400983

電気帆テザー上の半導体酸化物の原子層堆積【Powered by NICT】

Atomic layer deposition of semiconductor oxides on electric sail tethers
著者 (11件):
資料名:
巻: 621  ページ: 195-201  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,原子層堆積により堆積した,半導体酸化物の薄いコーティング層を宇宙技術に使用されるテザーの性能を改善するために使用できることを示した。厚さ25~100nmのZnO,TiO_2とTi-Zn混合酸化物の薄層を考慮し,参照として天然Al_2O_3と比較した。この目的のために,形態学的,光学的および電気化学的キャラクタリゼーションを行った。結果として,堆積した材料は非常に良好な接着と共形性を示した。コーティングは反射防止層として作用し,テザーの吸光度を増加させた。TiO_2薄層と混合酸化物の存在を,暗状態およびUV照射条件の両方でテザーの腐食抵抗を改善した。著者らの結果は,TiO_2は宇宙テザーの応用とそれに続く混合酸化物により最良の性能を持つことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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