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J-GLOBAL ID：201702236649508160   整理番号：17A0795082

N強化層を持つ新しい低V_F超障壁整流器(SBR)【Powered by NICT】

A Novel Low V_F Super Barrier Rectifier (SBR) With an N-Enhancement Layer

著者 (7件)： Chen Wensuo (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Zhang Peijian (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing, China) ,  Zhong Yi (Chongqing Semi-chip Electronics Co., Ltd, Chongqing, China) ,  Tan Kaizhou (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing, China) ,  Liao Ruijin (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Zeng Zheng (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 244-247  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N強化層(NEL SBR)をもつ新しい超障壁整流器を提案し,実験的に実証した。まだとは異なり,平面VDMOSのJFET抑制注入技術と同様に,NEL設計は増強順方向伝導能力を有するこの新しい整流器を備えている。実験結果が示すように,提案したNEL SBRは低順方向電圧降下とNEL無SBRのそれより大きい性能指数に関して改善された性能を有していた。新たなNEL社のSBRは1種類のブランケット浅いイオン注入段階はNEL無SBRの製造工程に添加した。NEL無しに作製したSBRの破壊電圧は50Vよりもすべて大きかった。N~+接触を除去することにより,製造プロセスの複雑さの減少が得られ,以前に示したデバイスの寄生N+/P/N構造からの潜在的な信頼性問題は,提案した新しいSBRの生じないであろう。したがって,提案した素子は,パワーエレクトロニクス用途に使用することができる有望な整流器である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 生産工程 ,  パワーエレクトロニクス ,  性能指数 ,  *整流器 ,  ブランケット ,  接合形FET ,  イオン注入 ,  信頼性 ,  電圧降下
準シソーラス用語： 複雑性 ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強化 ,  障壁 ,  整流器 ,  SBR