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J-GLOBAL ID：201702236741502535   整理番号：17A0057897

AlGaN/GaNヘテロ接合FETのための窒化物不動態化における浅い表面トラップと分極電荷の役割【Powered by NICT】

Role of shallow surface traps and polarization charges in nitride-based passivation for AlGaN/GaN heterojunction FET

著者 (6件)： Yang Song (The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong) ,  Tang Zhikai (The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong) ,  Lu Yunyou (The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong) ,  Jiang Qimeng (The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong) ,  Zhang Anping (Xi’an Jiaotong University, 28 Xianning West Road, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Chen Kevin J. (The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 85-88  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,窒化物不動態化(すなわちSiN_xとAlN)の機構とTCADシミュレーションを用いたAlGaN/GaNヘテロ接合電力トランジスタの高電圧スイッチングに及ぼすそれらの影響を検討した。低い動的オン抵抗(Ron)および強固な破壊能力を同時に達成するために窒化物不動態化素子で極めて重要な役割を果たすことが分かった。スイッチング後のシミュレートした二次元静電OFF状態電位分布とR_ON過渡現象は,不動態化/ギャップ界面に位置する高速応答浅いトラップと共に分極電荷は動的R_ON安定性を改善し,同時にドレイン側ゲート端での電場を効果的に低下させることを示唆した。GaNH EMTの表面不動態化としてSiN_xとAlNの間の差も分析した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  窒化アルミニウム ,  界面 ,  電力トランジスタ ,  *窒化物 ,  電位分布 ,  *不動態化 ,  電場 ,  オン抵抗 ,  過渡現象 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： TCAD ,  *分極電荷 ,  *HFET ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合FET ,  窒化物 ,  不動態化 ,  トラップ ,  分極電荷 ,  役割