文献

J-GLOBAL ID：201702236841438345   整理番号：17A0412319

高い操作安定性を有する紙上に作製したトップゲート有機電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Top-gate organic field-effect transistors fabricated on paper with high operational stability

著者 (4件)： Wang Cheng-Yin (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, United States) ,  Fuentes-Hernandez Canek (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, United States) ,  Chou Wen-Fang (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, United States) ,  Kippelen Bernard (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, United States)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 41  ページ： 340-344  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリビニルアルコール(PVA)とポリビニルピロリドン(PVP)ブレンドから成るバッファ層で被覆されたArjowiggins創造的論文からの特殊紙,PowerCoat HD230上に作製したトップゲート有機電界効果トランジスタ(OFET)について報告した。OFETsは低電圧で動作し,1.7±1.1×10~ 1cm~/Vsの平均キャリア移動度の値,平均しきい値電圧値 1.4±0.2V,平均オン/オフ電流比10~5のを示した。OFETは1V_DS=V_GS= 10Vで伝達特性の安定な1000スキャンとDCバイアスストレス試験中の6%以下の変化を示す安定なオン電流によって実証された優れた操作安定性を示した。,紙の上にOFETは,曲げ試験中のオン状態電流の7%の減少を示した。これらOFETの性能は,ガラス基板上に作製した同じ形状を持つトップゲートOFETによるdisplaidと同等であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 負荷試験 ,  電流 ,  *キャリア移動度 ,  バッファ層 ,  曲げ試験 ,  柔軟性 ,  バイアス ,  特殊紙
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  オン状態 ,  オフ電流 ,  閾値電圧 ,  低電圧 ,  *有機FET ,  *トップゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機電界効果トランジスタ ,  トップゲート幾何学 ,  紙 ,  操作安定性 ,  柔軟性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 安定性 ,  作製 ,  トップ ,  ゲート ,  有機電界効果トランジスタ