文献

J-GLOBAL ID：201702236933969384   整理番号：17A0323162

新規Ag_3AuSe_2とAg_3AuTe_2半導体の弾性と光電子特性【Powered by NICT】

Elastic and optoelectronic properties of novel Ag₃AuSe₂ and Ag₃AuTe₂ semiconductors

著者 (6件)： Faizan M. (Department of Physics, University of Peshawar, KPK, Pakistan) ,  Murtaza G. (Materials Modeling Lab, Department of Physics, Islamia College Peshawar, Pakistan) ,  Azam Sikander (New Technologies - Research Center, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 306 14, Pilsen, Czech Republic) ,  Khan Saleem Ayaz (New Technologies - Research Center, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 306 14, Pilsen, Czech Republic) ,  Mahmood Asif (College of Engineering, Chemical Engineering Department, King Saud University, P.O. Box 2455, Riyadh 11451, Saudi Arabia) ,  Yar Abdullah (Department of Physics, Kohat University of Science and Technology, Kohat 26000, KhyberPakhtunkhwa, Pakistan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 52  ページ： 8-15  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag_3AuSe_2とAg_3AuTe_2は半導体材料の興味あるクラスである。Ag_3AuSe_2とAg_3AuTe_2半導体の弾性と光電子特性を,密度汎関数理論を用いて詳細に研究した。交換-相関効果を処理するために選択した異なるスキーム。化合物の単位セルを完全に最適化し,計算した格子定数は既存の実験データと一致することが分かった。計算した弾性定数と弾性率は,化合物が延性性質を有し,弾性的に安定であることを明らかにした。は,両化合物がAg_3AuTe_2のAg_3AuSe_2と0.551eVのバンドギャップ値1.009eVの直接バンドギャップ半導体であることが分かった。化合物は狭いと直接バンドギャップを持っているので,光学的に活性であった。反射率,吸収係数,エネルギー損失関数,屈折率を含むと複素誘電関数のような光学的性質を詳細に研究した。これらの化合物の直接バンドギャップの性質は種々のデバイス応用のための有用な候補となっている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  延性 ,  *弾性 ,  吸収係数 ,  最適化 ,  バンドギャップ ,  *光電子 ,  損失関数 ,  格子定数 ,  半導体材料 ,  屈折率 ,  *半導体 ,  反射率
準シソーラス用語： 複素誘電関数 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 金カルコゲン化物 ,  弾性定数 ,  光学的性質

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 弾性 ,  光電子