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J-GLOBAL ID：201702236947713150   整理番号：17A0181897

抵抗ランダムアクセスメモリ素子の多スケール電熱シミュレーションとモデル化【Powered by NICT】

Multi-scale electrothermal simulation and modelling of resistive random access memory devices

著者 (3件)： Sadi Toufik (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, UK) ,  Wang Liping (Gold Standard Simulations Ltd (now part of Synopsys), Glasgow G3 7JT, UK) ,  Asenov Asen (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PATMOS  ページ： 33-37  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)は,低消費電力,低コスト当たりビット,高耐久で動作し,3Dチップにおけるクロスバーアレイにおける集積化に適している。これらの属性を用いたコンピューティングと神経回路網への新しいプロセッサ・アーキテクチャと高密度メモリに及ぶ種々の応用にたいして適しているRRAMデバイスとなっている。酸化物ベースRRAM構造における抵抗スイッチングを研究するためのユニークなシミュレーションツールを採用した。本研究では,例としてSiリッチシリカ(SiOx)RRAMを用いた。シリカベースRRAM技術の追加のユニークな利点を提供するシリコンマイクロエレクトロニクスと容易に結合できた。RRAMに関する既存のモデリング研究は,古典的な現象論的方法と二次元(2D)モデリングツールに大きく依存してきた。進行マルチスケール三次元(3D)シミュレータを適用したこれらの有望な素子におけるスイッチングを調べ,低電力応用のためのそれらの可能性を強調する。著者らの物理学に基づく電熱3Dシミュレータは実験データと非常に良く校正され,酸素イオンと電子輸送の自己無撞着的に確率論的速度論モンテカルロ記述,局所電場と温度を連結する。シミュレータを用いて,自己加熱効果の影響を実証し,スイッチング現象を正確に予測するための3D物理的モデル化の必要性を強調することである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  速度論 ,  二次元 ,  三次元 ,  確率論 ,  シミュレータ ,  *モデリング ,  スイッチング ,  神経回路網
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  電子輸送 ,  マルチスケール ,  抵抗スイッチング ,  高密度 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  スケール ,  電熱 ,  シミュレーション ,  モデル化