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J-GLOBAL ID：201702237143062026   整理番号：17A0026044

プラスチック基板上に制作した高性能フレキシブルスズ-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタ

High-Performance Flexible Tin-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Fabricated on Plastic Substrates

著者 (6件)： Han Dedong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Chen Zhuofa (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Cong Yingying (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Yu Wen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Zhang Xing (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Yi (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 8  ページ： 3360-3363  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全透明高性能スズ-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタ(TZO TFT)を無線周波数(RF)スパッタリングでフレキシブルプラスチック基板上に制作した。ゲート長L_G=10μmでTZO TFTの優れた特性が実現された,すなわち,175cm²/V・sの高い飽和移動度(μ_s),127cm²/V・sの高い線形移動度,1.81Vの適当な閾値電圧(V_th),220mV/decの急峻なサブ閾値スイング(SS),~1×108のON/OFF電流比(I_ON/I_OFF),そして91.9%の良好な透過度であり,これらはガラス基板に制作したものと同等である。フレキシブルTZO TFTの機械的安定性を曲げ試験で調べた。フレキシブルTZO TFTは良好な電気性能,良好な均一性,良好なフレキシビリティを示した。従って,フレキシブルディスプレイ応用のための高性能TZO TFTの使用可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  基板 ,  酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  プラスチック ,  キャリア移動度 ,  電子技術 ,  安定性 ,  *RFスパッタリング ,  移動度 ,  電圧 ,  性能指数 ,  電気装置部品 ,  曲げ試験 ,  電流電圧特性 ,  *フレキシブル基板
準シソーラス用語： II-VI族半導体材料 ,  ガラス基板 ,  サブ閾値スイング ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  機械的安定性 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラスチック基板 ,  制作 ,  高性能 ,  スズ ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ