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J-GLOBAL ID:201702237144676344   整理番号:17A0204187

65nm CMOSにおける連続近似構造を有する9b/12ビット50Mサンプル/秒実験的A DC【Powered by NICT】

A 9 b/12 b 50 MS/s experimental ADC with continuous approximation architecture in 65 nm CMOS
著者 (3件):
資料名:
巻: 37  号: 10  ページ: 105003-1-105003-6  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2377A  ISSN: 1674-4926  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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9ビット,50MS/s,0.5mWの連続近似混合逐次近似(CAR&SAR)A DCを提示した。12ビット,50MS/s,0.6mW CAR&CAR A DCを提示した。低電力と高性能A DCの分野では,CARはSARとは異なる新しいアーキテクチャである。高精度を得るための迅速で容易であった。CARとその回路実装を紹介し,9ビット実験A DCはCARADCの実現可能性を検証するために設計した。一方,その分解能は余分なCARを添加した12ビットに拡張可能であり,その後性能はTTコーナーで0.6mW50MS/s72dB SNDRに上昇するとWalden FOMは3.6fj/conv段階である。9b ADCはTSMC1P9M65nm CMOS技術を用いて作製した。A DCは50dBのSNDRを達成し,実現Walden FOMは34fj/conv段階である。シミュレーションと測定結果は,CAR低消費電力と高性能A DCで利用可能な,SARを凌駕さえすることを証明した。A DCコアは0.045mm2の能動面積を占めている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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AD・DA変換回路  ,  半導体集積回路 

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