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J-GLOBAL ID：201702237174166562   整理番号：17A0776146

2.8ppm/°C高PSRR BiCMOSバンドギャップ電圧基準【Powered by NICT】

A 2.8 ppm/°C high PSRR BiCMOS bandgap voltage reference

著者 (4件)： Ming Xin (University of Electronic Science and Technology of China) ,  Lu Yang (Electrical and Computer Engineering Department, Polytechnic Institute of New York University) ,  Zhang Bo (University of Electronic Science and Technology of China) ,  Zhou Zekun (University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 9  ページ： 124-128  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高次曲率補償された高電源除去比(PSRR)BiCMOSバンドギャップ基準を提示した。回路は,PSRRを改善するために低温度係数(TC)およびフィルタコンデンサと準位シフト構造を実現するために飽和電流I(ss)の正の温度特性とバイポーラトランジスタの順方向電流利得β利用する。0.6μmB CDプロセスで実現し,提案した電圧基準は3.6Vで28μAの電源電流を消費した。2.8pprn/°C,低周波数での80dB以上のPSRRと3.6~5.5Vから50ppm/Vの電源変動率の温度係数は容易に達成され,これは携帯機器に広く利用可能にする。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *BiCMOS ,  電流 ,  曲率 ,  *バンドギャップ ,  LF【周波数】 ,  バイポーラトランジスタ ,  *電圧 ,  温度係数
準シソーラス用語： 携帯機器 ,  電流利得 ,  温度特性 ,  飽和電流 ,  バンドギャップ基準 ,  *PSRR , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 飽和電流 ,  電流利得 ,  曲率補償 ,  準位シフト ,  フィルタコンデンサ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： PSRR ,  BiCMOS ,  バンドギャップ