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J-GLOBAL ID：201702237174688301   整理番号：17A0206049

ZnO圧電性歪センサの性能進化に及ぼす照明依存自由キャリア遮蔽効果【Powered by NICT】

Illumination-dependent free carrier screening effect on the performance evolution of ZnO piezotronic strain sensor

著者 (6件)： Lin Pei (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Gu Yousong (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Yan Xiaoqin (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Lu Shengnan (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Zhang Zheng (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing) ,  Zhang Yue (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 4  ページ： 1091-1100  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 適切な圧電分極電荷の存在におけるZnO光電子デバイスの性能変調は広く報告されているが,ピエゾトロニクスに及ぼす光励起の影響について行われてきた比較的少ない。本研究では,種々の365nm UV照射密度下でZnOピエゾトロニック歪センサの性能変化を実験的に調べた。デバイスが照明下で 0.53%の圧縮歪の下での応答比~200を示さなかった,応答時間は約0.3sであった。しかし,とほうもない性能劣化は照射密度の増加,自由電子濃度とSchottky障壁高さのUV変調変化に起因するが観察された。増大したキャリア密度は遮蔽効果を強化し,このようにして,圧電分極電荷の変調能力は弱まることが観察された。一方,UV照射下で界面での整流挙動の劣化もデバイス性能を危うくする。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *圧電気 ,  キャリア密度 ,  *照明 ,  紫外線照射 ,  *酸化亜鉛 ,  界面
準シソーラス用語： Schottky障壁高さ ,  自由電子 ,  性能劣化 ,  圧縮歪 ,  光電子デバイス ,  分極電荷 ,  *遮蔽効果 ,  *自由キャリア ,  *歪センサ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ピエゾトロニクス ,  障壁の高さ ,  紫外線照射 ,  表面吸収 ,  遮蔽効果

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  圧電性 ,  歪センサ ,  進化 ,  照明 ,  自由キャリア ,  遮蔽効果