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J-GLOBAL ID：201702237294127378   整理番号：17A0204756

二次元遷移金属硫化物の電気的応用における研究進展【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional transition metal sulfides for electrical applications

著者 (2件)： Zou Xuming (School of Physics and Technology, and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University) ,  Liao Lei (School of Physics and Technology, and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107310-1-107310-10  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 近年、グラフェンはその独特な層状構造と電気特性により、国内外の注目されている焦点になっている。グラフェン研究の急速な発展及び材料調製技術の革新により、その他二次元層状構造特徴を有する材料、例えば遷移金属硫化物(TRANSITION-METAL SULFIDES, TMSS)も次第に研究され、応用されている。グラフェンと類似して、TMSSは多くの優れた特性を持ち、例えば良好な機械的柔軟性と熱安定性、表面无懸挂Jian及びシリコンCMOSプロセスと互換性がある。より重要なのは、バンドの特徴はグラフェンの電界効果トランジスタのスイッチング比が非常に低く、比較的に、一部のTMSS材料は満足なバンドギャップを持ち、そのため、半導体デバイスの分野で巨大な応用潜在力がある。本論文では、TMSSの基本構造の特徴、バンドの特徴及び電気的性質を簡単に紹介し、その中で重点的に硫化モリブデンを例として、電界効果トランジスタ、論理回路及びセンサーなどの方面の具体的な応用について述べ、最後にTMSSの未来の発展方向を展望した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱安定性 ,  *遷移金属 ,  硫化モリブデン ,  FET【トランジスタ】 ,  高速度 ,  ケイ素 ,  グラフェン ,  論理回路 ,  層状組織 ,  バンドギャップ ,  柔軟性 ,  *二次元 ,  互換性
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  材料調製 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： transition-metal sulfides ,  MoS2 ,  electrical properties ,  FETs

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移 ,  金属硫化物 ,  応用 ,  研究 ,  進展