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J-GLOBAL ID：201702237442491096   整理番号：17A0449024

バルクと表面(001)CuInTe_2の電子,光学および熱電特性:第一原理研究【Powered by NICT】

Electronic, optical and thermoelectric properties of bulk and surface (001) CuInTe₂: A first principles study

著者 (12件)： Rai D.P. (Department of Physics, Pachhunga University College, Aizawl, 796001, India) ,  Sandeep (Department of Physics, Mizoram University, Aizawl, 796009, India) ,  Shankar A. (Department of Physics, University of North Bengal, Darjeeling, 734013, India) ,  Sakhya Anup Pradhan (Department of Physics, Bose Institute, 93/1 Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata, 700009, India) ,  Sinha T.P. (Department of Physics, Bose Institute, 93/1 Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata, 700009, India) ,  Grima-Gallardo P. (Centro de Estudios en Semiconductores (C.E.S.), Departamento de Fsica, Facultad de Ciencias, Universidad de Los Andes, Mrida, 5101, Venezuela) ,  Cabrera H. (Centro Multidisciplinario de Ciencias, Instituto Venezolano de Investigaciones Cientficas, Mrida, 5101, Venezuela) ,  Cabrera H. (SPIE-ICTP Anchor Research in Optics Program Laboratory, International Centre for Theoretical Physics (ICTP), Strada Costiera 11, Trieste, 34151, Italy) ,  Khenata R. (Laboratoire de Physique Quantique de la matire et de Modlisation Mathmatique (LPQ3M), Universit de Mascara, Mascara, 29000, Algeria) ,  Ghimire Madhav Prasad (Condensed Matter Physics Research Center, Butwal-13, Rupandehi, Lumbini, Nepal) ,  Ghimire Madhav Prasad (IFW-Dresden e.V., Helmboltzstrasse 20, 01069 Dresden, Germany) ,  Thapa R.K. (Department of Physics, Mizoram University, Aizawl, 796009, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 1003-1011  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuInTe_2のバルクと表面の電子的,光学的および熱電特性をフルポテンシャル線形増強平面波(FP LAPW)法に基づいた第一原理計算により調べた。電子交換相関を一般化勾配近似(GGA)とした。エネルギーバンドギャップを改善するために改良Becke-Johnson(mBJ)ポテンシャルと呼ばれる半局所軌道独立なポテンシャルの修正版を用いた。CuInTe_2の計算したエネルギーバンドギャップは,利用可能な実験的および理論的結果とよく一致した。CuInTe_2のバルクおよび表面の両方は直接バンドギャップ半導体である,(Γ Γ)対称点に沿った遷移を示した。GGA/mBJ内の表面とバルクの計算したバンドギャップは0.38/0.63eVと0.75/1.13eVであった。これはUV範囲で材料の光学的相互作用,太陽電池材料のためのヘテロ接合吸収層として利用できるを示した。熱電特性もBoltzmann半局所輸送理論に基づいて計算した。バルク及び表面における平坦で鋭いバンドに沿った(Γ Γ)はSeebeck係数と電気伝導率の高い値の原因であった。Seebeck係数と電気伝導率の高い値は,熱電効率を高めるために重要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  対称性 ,  ポテンシャル ,  *第一原理 ,  電子交換 ,  輸送理論 ,  太陽電池 ,  ヘテロ接合 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  直接バンドギャップ ,  一般化勾配近似 ,  第一原理計算 ,  LAPW ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GGA ,  表面 ,  MBJ ,  光 ,  熱電

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  電子 ,  光学 ,  熱電特性 ,  第一原理 ,  研究