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J-GLOBAL ID：201702237593428174   整理番号：17A0701050

半結晶性高分子半導体におけるCoulomb増強された電荷輸送【Powered by NICT】

Coulomb Enhanced Charge Transport in Semicrystalline Polymer Semiconductors

著者 (16件)： Di Pietro Riccardo (Hitachi Cambridge Laboratory, J. J. Thomson Avenue, CB3 0HE, Cambridge, UK) ,  Nasrallah Iyad (University of Cambridge, Cavendish Laboratory, J. J. Thomson Avenue, CB3 0HE, Cambridge, UK) ,  Carpenter Joshua (Department of Physics, North Carolina State University, 2401 Stinson Drive, Raleigh, NC, 27695, USA) ,  Gann Eliot (Department of Materials Engineering, Monash University, Wellington Road, Clayton, Victoria, 3800, Australia) ,  Gann Eliot (Australian Synchrotron, 800 Blackburn Road, Clayton, Victoria, 3168, Australia) ,  Kolln Lisa Sophie (Universitaet Potsdam, Institut fuer Physik und Astronomie, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, 14476, Potsdam, Germany) ,  Thomsen Lars (Australian Synchrotron, 800 Blackburn Road, Clayton, Victoria, 3168, Australia) ,  Venkateshvaran Deepak (University of Cambridge, Cavendish Laboratory, J. J. Thomson Avenue, CB3 0HE, Cambridge, UK) ,  O’Hara Kathryn (Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, 93106-5050, USA) ,  Sadhanala Aditya (University of Cambridge, Cavendish Laboratory, J. J. Thomson Avenue, CB3 0HE, Cambridge, UK) ,  Chabinyc Michael (Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, 93106-5050, USA) ,  McNeill Christopher R. (Department of Materials Engineering, Monash University, Wellington Road, Clayton, Victoria, 3800, Australia) ,  Facchetti Antonio (Polyera Corporation, 8045 Lamon Ave, STE 140, Skokie, IL, 60077-5318, USA) ,  Ade Harald (Department of Physics, North Carolina State University, 2401 Stinson Drive, Raleigh, NC, 27695, USA) ,  Sirringhaus Henning (University of Cambridge, Cavendish Laboratory, J. J. Thomson Avenue, CB3 0HE, Cambridge, UK) ,  Neher Dieter (Universitaet Potsdam, Institut fuer Physik und Astronomie, Karl-Liebknecht-Str. 24-25, 14476, Potsdam, Germany)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 44  ページ： 8011-8022  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子半導体は特定の用途要求に適合するようにそれらのオプトエレクトロニック特性を調整する上でユニークな可能性と柔軟性を提供する。強く改善された電荷輸送特性を持つ半結晶性重合体の最近の開発は,電荷輸送機構の現在の理解と,高分子の化学的および構造的特性に関係しているかのレビューを強制する。,半結晶性高分子半導体における電界効果移動度の電荷密度依存性を調べた。高分子膜の平均結晶子サイズの増加に直接相関しており,移動度とその電荷密度依存性の同時増加が観察された。電荷蓄積分光法からの更なる証拠は,電荷は高分子膜の結晶領域に蓄積すると微結晶サイズの増加は平均電子軌道非局在化に影響を及ぼすことを示した。これらの結果は,エネルギー的無秩序によるものではないことを効果を示した。代わりにナノスケール結晶領域上の電荷キャリア間の短距離Coulomb反発の包接は,構造的および光学的特性評価と一致して観察された移動度依存性を記述できることを示した。抽出されることを結論は純粋なトランジスタ特性を超えて拡大し,他のオプトエレクトロニクスデバイスに関連する領域と時間スケールの電荷キャリア輸送への新しい洞察を提供することができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電荷 ,  移動度 ,  *高分子 ,  *半結晶性高分子 ,  FET【トランジスタ】 ,  密度依存性 ,  *高分子半導体 ,  光学的性質 ,  帯電 ,  構造特性 ,  高分子膜 ,  *結晶性高分子 ,  微結晶
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電荷輸送 ,  電界効果トランジスタ ,  有機半導体 ,  半結晶性重合体

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半結晶性高分子 ,  Coulomb ,  増強 ,  電荷輸送