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J-GLOBAL ID:201702237918995267   整理番号:17A0499551

ZnO量子ドットの低強度,連続波光ドーピング 光子エネルギーおよび粒子径効果

Low intensity, continuous wave photodoping of ZnO quantum dots - photon energy and particle size effects
著者 (4件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 4494-4499  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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半導体量子ドット(QD)の特異な特性は,太陽光の化学エネルギーへの転換に利用できる。QD光子効率を制御する酸化還元過程の相対速度が,どのように粒子径(r)および光子エネルギー(Eλ)に依存するかは,完全には解明されていない。本論文でこれらの課題を取扱い,電子アクセプタとしてメチルビオロゲン(MV2+)存在有無の場合の各々について,rおよびEλの関数として,エチレングリコール(EG)でキャップしたZnO-QDの界面電荷移動および電子ドーピングに対する量子収率(Φ)を報告する。EG酸化のΦは,Eλおよび光流束量(φλ)とは独立であるが,rで顕著に増大した。φλに対するΦの独立性から,QDは一電子対を超えて占有されることはなく,従ってAuger型終端は排除されることが確認された。これらの知見は,Marcus反転領域中における,熱キャリアを含む界面酸化還元過程の動作と整合することがわかった。MV2+無しでは,QDは,過剰光子エネルギーE*=Eλ-EBG(r)(ここでEBG(r)は,r依存バンドギャップエネルギー)に,シグモイド的に依存する限界体積密度ρe,∞まで電子を蓄積した。最大電子密度:ρev,∞~4×1020cm-3は,粒子径とは独立に,E*>0.5eVにおいて達成された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
原子・分子のクラスタ  ,  電気化学反応  ,  光化学反応  ,  反応速度論・触媒一般 

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