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J-GLOBAL ID：201702237975795358   整理番号：17A0170330

長寿衛星搭載NANDのFlash自己適応ブロック管理戦略【JST・京大機械翻訳】

Self-adaptive Management Strategy for Bad Blocks Based on Long Lifetime On-board NAND Flash

著者 (2件)： Wang Wensi (Academy of Opto-Electronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Lin Baojun (Academy of Opto-Electronics,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Jisuanji Kexue  (Jisuanji Kexue)
巻： 43  号： 10  ページ： 193-195,205  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2530A  ISSN： 1002-137X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文は,軌道上の運転設備の貯蔵信頼性の問題を解決するために,自己適応型ブロック管理戦略を提案した。まず第一に,本論文は,衛星のフラッシュメモリシステムのためのMARKOV信頼性モデルを確立して,次に,使用する状況に従って,装置の発生の数を予測して,データ蓄積空間のサイズを設定した。第二に,装置の実際のデータに従って,データ蓄積空間を動的に調整することによって,一定の時間において安定したメモリ空間を確保することによって,高い空間利用率を維持することができた。最後に,適応ブロック管理戦略をシミュレーションした。結果は,ある種の書き込み速度の下で,この適応型ブロック管理戦略の空間利用率が85%未満であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *データ蓄積 ,  信頼性 ,  記憶装置
準シソーラス用語： 信頼性モデル ,  自己適応 ,  *NAND , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： On-board memory ,  NAND Flash ,  Self-adaptive ,  Bad block management ,  Markov

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 長寿 ,  衛星搭載 ,  NAND ,  FLASH ,  自己適応 ,  戦略