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J-GLOBAL ID:201702238105545503   整理番号:17A0470296

柱状結晶粒構造をもつ多結晶La_0 66Sr_0 34MnO_3/YSZ(001)膜の低磁場磁気抵抗とスイッチング挙動【Powered by NICT】

Low-field magnetoresistance and switching behavior of polycrystalline La0.66Sr0.34MnO3/YSZ(001) films with columnar grain structure
著者 (6件):
資料名:
巻: 625  ページ: 42-48  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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厚さ,180 330nmとLa_0 0.66Sr_0 0.34MnO_3(LSMO)膜は750°Cで立方晶イットリア安定化ジルコニア,YSZ(001)上に高周波マグネトロンスパッタリングにより成長させた。平均直径約50nm,膜表面に平行に配向した擬立方晶格子の(001)および(011)面を持つ柱状結晶粒の共存を透過型電子顕微鏡とX線回折研究によって認定されている。極点図形X線回折測定は45°面内回転を有するYSZ(001)上のLSMO(001)結晶粒のcube-on-cube成長を明らかにした一方エピタキシャル関係を持つ二つの面内方位:[001]LSMO∥[010]YSZおよび[001]LSMO∥[100]YSZはLSMO(011)結晶粒を保証した。柱状結晶粒の間の高傾角粒界の存在はキャリアのスピン分極トンネリングに関連した増強された電気抵抗率と低磁場磁気抵抗をもたらした。電気抵抗対磁場プロットはH±H pでピーク最大値を持つ低磁場領域(H<80kA/m)に特徴的なヒステリシス挙動を示した。H≒H pでの異常な鋭い抵抗低下はT<210Kで膜と印加磁場間の角度とKondorsky関係により定義された膜面(α)とH pの観察された変化の適応:H(H p0/cosαは粒界でのドメイン壁の強いピン止めを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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金属薄膜  ,  酸化物薄膜 

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