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J-GLOBAL ID:201702238116054157   整理番号:17A0750425

P3HTにおけるドーピング誘起吸収バンド:ポーラロンとバイポーラロン【Powered by NICT】

Doping-Induced Absorption Bands in P3HT: Polarons and Bipolarons
著者 (11件):
資料名:
巻: 17  号: 23  ページ: 3836-3844  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1265A  ISSN: 1439-4235  CODEN: CPCHFT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,有機半導体ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)(P3HT)のp型ドーピング(酸化)にポーラロンとバイポーラロンのような電荷キャリアの異なる種類の形成に焦点を当てた。はこのポリマーの酸化中のサイクリックボルタンメトリーとUV/Vis/近赤外範囲におけるドーピングと中赤外領域に存在する分光学的変化を明らかにした。低酸化領域では,サブギャップ遷移に関係した二つの吸収バンドが出現し,UV/Vis範囲と互いに中赤外範囲であった。UV/Vis吸収は,ドーピングにより徐々に減少し,中赤外吸収は低エネルギー側にシフトした。さらに,電子常磁性共鳴(EPR)測定を行い,特定のドーピングレベルまでE PR信号の増加,さらにドーピングにより著しく低減することを示した。,UV/Vis領域での吸収スペクトルは理論的モデルを用いて形態(結晶vs.無定形)との関連で分析した。最後に,サイクリックボルタモグラムから計算した電荷キャリアは光学遷移と同様にp型ドーピングによるE PRシグナルの両方で結合した。著者らの結果は,低ドーピングレベルでのポーラロンの形成と高ドーピングレベルでのバイポーラロンの存在を示すことを強調した。提示した分光学的データは,P3HT中のバイポーラロンの形成の実験的証拠である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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光化学一般  ,  半導体結晶の電子構造 

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