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J-GLOBAL ID：201702238137706145   整理番号：17A0451588

分子ビームエピタクシーにより成長させたCu_2ZnSnSe_4薄膜【Powered by NICT】

Cu₂ZnSnSe₄ thin films grown by molecular beam epitaxy

著者 (8件)： Cure Y. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble F-38000, France) ,  Cure Y. (CEA-INAC, Grenoble F-38054, France) ,  Pouget S. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble F-38000, France) ,  Pouget S. (CEA-INAC, Grenoble F-38054, France) ,  Reita V. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble F-38000, France) ,  Reita V. (CNRS, Inst. NEEL, Grenoble F-38042, France) ,  Boukari H. (Univ. Grenoble Alpes, Grenoble F-38000, France) ,  Boukari H. (CNRS, Inst. NEEL, Grenoble F-38042, France)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 130  ページ： 200-204  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnSe_4は光起電力電池のための可能性を持っているが性能を改善しなければならない。ここでは,分子ビームエピタクシーにより成長させたCZTSeについて報告した。ナノメートル島が形成された滑らかな2D成長モードは堆積の初期段階を除いて堆積中維持された。初期3次元成長をX線回折により検出されたCuGaSe_2とCuGaZnSe_3の形成に起因する。成長速度に相関しており,高エネルギー回折振動の反射が得られた。Cu_2ZnSnSe_4膜はGaAs(001)[110]に平行なc軸GaAs[001]成長方向に沿って配向し,Cu_2ZnSnSe_4(001)[110]GaAs上にエピタキシャル成長した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 三次元 ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  ヒ化ガリウム ,  光電池 ,  成長速度 ,  回折 ,  *MBE成長
準シソーラス用語： 高エネルギー ,  成長モード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 分子ビームエピタクシー ,  太陽光発電 ,  薄膜 ,  Semiconductors

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  薄膜