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J-GLOBAL ID：201702238362712300   整理番号：17A0430540

パワースイッチング用GaN-on-Si MIS-HEMTの試験と信頼性評価

Evaluation and Reliability Assessment of GaN-on-Si MIS-HEMT for Power Switching Applications

著者 (6件)： CHOU Po-Chien (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Szu-Hao (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSIEH Ting-En (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHENG Stone (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  DEL ALAMO Jesus A. (Massachusetts Inst. of Technol., MA, USA) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 10  号： 2  ページ： WEB ONLY  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaNに基づく金属-絶縁体-半導体(MIS)高電子移動度トランジスタ(HEMT)の故障の原因となる物理機構の広範な分析を報告した。高印加電場下でストレスを加えると,誘電体/III-N障壁界面とIII-N障壁内のトラップが動的オン抵抗と閾値電圧のシフトを引き起こし,これらの素子の長期安定性に影響を及ぼす可能性がある。エピタキシーやプロセスに関連する劣化機構を同定し,それらの電気的特性への影響を理解するために,より詳細な研究が必要である。本論文は,様々なオフ状態条件下でストレスを受けたGaN MIS-HEMTの劣化機構と故障機構を特徴付ける適切な方法を提案した。主要なストレス条件として,V_DS=0V,オフ,及びオフ(カスコード接続)の三種類がある。電圧ステップストレス実験における直流(DC)性能指数の変化を測定し,統計量と相関を調べた。熱電子ストレスは電荷捕獲現象および深い準位または界面準位の生成に起因し得る永続的な変化をもたらす。界面(及び/又は体積)とバッファトラップの同時発生は観察した劣化モードとメ機構を説明できた。これらの知見は,ステップストレス実験により支持されるGaN MIS-HEMTの電気的信頼性を評価するための幾つかの重要な特性を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スイッチ ,  *HEMT ,  MIS構造 ,  *信頼性 ,  故障 ,  電圧 ,  安定性 ,  キャリア捕獲 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ケイ素 ,  半導体材料 ,  *機構
準シソーラス用語： パワースイッチ ,  *故障機構 ,  電荷捕獲 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： パワー ,  スイッチング ,  GaN ,  Si ,  MIS ,  HEMT ,  試験 ,  信頼性評価