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J-GLOBAL ID：201702238727002341   整理番号：17A0448873

2段階処理を用いた異方性熱電特性を有するナノ結晶テルル化ビスマス薄膜の高度に配向した結晶成長【Powered by NICT】

Highly oriented crystal growth of nanocrystalline bismuth telluride thin films with anisotropic thermoelectric properties using two-step treatment

著者 (2件)： Yamauchi Kazuki (Department of Materials Science, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Takashiri Masayuki (Department of Materials Science, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 698  ページ： 977-983  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は高度に配向したナノ結晶テルル化ビスマス(Bi_2Te_3)薄膜の異方性熱電特性を調べた。薄膜を,高周波マグネトロンスパッタリングとそれに続く均一電子ビーム(EB)照射と熱アニーリングを組み合わせた二段階処理によって調製した。この処理では,EB照射線量が0から1.07MGy変化させ,アニーリング温度は300°Cに維持した。得られた薄膜は約80nmの結晶サイズを有し,c軸方向に沿ってかなり高い結晶方位,二段階処理は0.22 0.87MGyの範囲でEB照射線量を用いた場合であった。膜の異方性熱電特性を推定するために,単結晶および多結晶Bi_2Te_3バルク材料の結晶方位を考慮した簡単なモデルを用いた。薄膜は面内方向に高い電気伝導率を示したが,Seebeck係数はほぼ等方的であった。薄膜の面内および交差面出力因子は17.1と4.7μW/(cm K~2)の最大値に達した。本研究では,異方性構造を持つ材料の熱電性能を高めるために使用できることを二段階処理を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  単結晶 ,  *異方性 ,  *結晶 ,  多結晶 ,  電気伝導率 ,  照射線量 ,  *ナノ結晶 ,  結晶方位
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  アニーリング温度 ,  熱アニーリング ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  *テルル化ビスマス ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2段階治療 ,  均一電子ビーム照射 ,  熱アニーリング ,  結晶配向 ,  テルル化ビスマス

分類 (3件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 段階 ,  異方性 ,  熱電特性 ,  ナノ結晶 ,  テルル化ビスマス ,  薄膜 ,  配向 ,  結晶成長