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J-GLOBAL ID：201702238732900736   整理番号：17A0204226

Siベースゲルマニウム材料とデバイスの研究の進歩【Powered by NICT】

Research progress of Si-based germanium materials and devices

著者 (4件)： Cheng Buwen (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Cheng (Department of Physics, Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University) ,  Liu Zhi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Xue Chunlai (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 8  ページ： 081001-1-081001-9  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siゲルマニウムはその高いキャリア移動度,良好な光学的性質および適合性Si CMOS技術による電子およびフォトニックデバイスの統合のための有望なプラットフォームであると考えられている。しかし,いくつかの大きな課題を比較し,このようななければならない(1)Geの間接バンドギャップの性質(2)Si基板上無転位Ge層のエピタクシーおよび(3)Geデバイスのための未成熟技術。本論文の目的は,エピタクシーの場とSi基板上のGeヘテロ構造の光学的性質で得られた最近の進歩と同様に,Geデバイスのいくつかの重要な技術のレビューを提供することである。高Ge含有量でGe/SiGe多重量子井戸と同様に,高結晶品質Geエピ層は低温Geバッファ層を持つSi基板上に成長させた。局所Ge凝縮法は,強化されたGe直接バンド光ルミネセンスの高引張歪によるゲルマニウムoninsulator(GOI)材料を調製するために提案した。Ge n +p浅い接合の形成と金属/Ge接触のSchottky障壁高さの変調の進歩はGe技術の著しい進歩した。最後に,Si系Ge発光素子,光検出器,及びMOSFETの進展を簡単に紹介した。これらの結果は,Si系Geヘテロ構造材料である集積回路とオプトエレクトロニック回路の次世代での使用に有望であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  *ゲルマニウム ,  光ルミネセンス ,  多重量子井戸 ,  低温 ,  キャリア移動度 ,  バッファ層 ,  *ケイ素 ,  CMOS
準シソーラス用語： 発光素子 ,  引張歪 ,  エピタキシャル層 ,  ヘテロ構造 ,  シリコンウエハ ,  フォトニックデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： Ge ,  Ge ,  Si系 ,  エピタクシー ,  発光ダイオード ,  光検出器 ,  MOSFET

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ゲルマニウム ,  研究