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J-GLOBAL ID：201702238778918614   整理番号：17A0697419

Au~9+イオン照射によって誘起されたナノ結晶CdS薄膜の光電子構造特性の改善【Powered by NICT】

Improvement of opto-electro-structural properties of nanocrystalline CdS thin films induced by Au⁹⁺ ion irradiation

著者 (7件)： Bakiyaraj G. (Crystal Growth and Thin Film Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM University, Kattankulathur 603203, Tamil Nadu, India) ,  Gunasekaran B. (Crystal Growth and Thin Film Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM University, Kattankulathur 603203, Tamil Nadu, India) ,  Prakash Jai (Department of Physics, University of the Free State, Bloemfontein ZA9300, South Africa) ,  Kalidasan M. (Department of Physics, Velammal Institute of Technology, Chennai 601204, Tamil Nadu, India) ,  Asokan K. (Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India) ,  Dhanasekaran R. (Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai 600025, Tamil Nadu, India) ,  Ramamurthi K. (Crystal Growth and Thin Film Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM University, Kattankulathur 603203, Tamil Nadu, India)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 626  ページ： 117-125  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdSベース薄膜太陽電池は,高い変換効率を達成するための可能性がある。本研究では,CdS薄膜を化学浴堆積法を用いて調製し,それらの構造,光学的および電気的特性を室温(RT)と液体窒素温度(LNT)で照射120MeVAu~9+イオンの影響下で改善された。膜をすれすれ入射角X線回折(GAXRD),電界放出走査電子顕微鏡(FESEM),Rutherford後方散乱分光法(RBS),Hall測定,UV-vis及びRaman分光法によって特性化した。GAXRD研究は室温で低フルエンス(1×10~12ionscm~ 2)で清浄なそして照射した膜は優先成長をもつ立方晶結晶系に属し(111)面と元の膜の立方晶系は高フルエンス照射(5×10~12~1×10~13ionscm~ 2)で六方晶構造に変換されるに沿ったことを確認した。無添加試料のFESEM像は,CdS薄膜の表面は,ナノフレーク構造を含んでいることを明らかにした。異なるフルエンスでイオン照射による膜の表面形態の改質を研究した。膜の厚さと化学組成はRT及びLNTで照射した試料中の酸素の存在を検出するRBSにより解析した。元の膜の光学バンドギャップは1×10~13ionscm~ 2(RT)のフルエンスでAu~9+イオンの照射による2.95eVから2.56eVに減少した。Ramanピーク位置(1LO)はRT及びLNTで照射フルエンスの増加に伴いより高い波数にシフトした。1.640×10~15cm~ 3の抵抗率(ρ)7.89Ωcm,電荷キャリア濃度(n)は,室温で1×10~13ionscm~ 2のフルエンスで照射したCdS膜で達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *イオン照射 ,  *構造特性 ,  化学組成 ,  Raman分光法 ,  *薄膜 ,  電気抵抗率 ,  六方晶系 ,  X線回折 ,  *硫化カドミウム ,  酸素 ,  キャラクタリゼーション ,  電気的性質 ,  光学ギャップ ,  フルエンス
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CdS薄膜 ,  化学浴析出 ,  高速重イオン照射(SHI) ,  構造特性 ,  光学的性質 ,  電気的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン照射 ,  誘起 ,  ナノ結晶CdS ,  薄膜 ,  光電子 ,  構造特性