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J-GLOBAL ID：201702239216049615   整理番号：17A0702636

電場を用いたホスホレンの化学的安定性を向上させる非常に【Powered by NICT】

Vastly enhancing the chemical stability of phosphorene by employing an electric field

著者 (3件)： Gao Junfeng (Institute of High Performance Computing, A*STAR, Singapore, 138632, Singapore. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhang Gang ,  Zhang Yong-Wei
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 12  ページ： 4219-4226  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,種々の電子応用からホスホレンを妨げる主要な障害は,周囲条件下でその迅速な酸化である。酸化を抑制することによりその化学的安定性を強化する方法急務となっている。,適切なvan der Waals(vdW)基板と垂直電場を用いてホスホレンの酸化を抑制する高度に効率的な方法を明らかにした。著者らの第一原理研究は,ホスホレンMoSe_2vdWヘテロ構造である物理吸着の安定性とホスホレンに及ぼす分子O_2の化学吸着を逆転できることを示した。 0.6VÅ~ 1の垂直電場の適用により,酸化に対するエネルギー障壁は0.91eVに増加させ,室温で手順を使用しないそれと比較してその寿命10~5倍の増強をもたらすことができた。著者らの研究は,空気中でのホスホレンの化学的安定性を向上させる非常にする実行可能な戦略を提示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電場 ,  物理吸着 ,  化学吸着 ,  第一原理
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  ヘテロ構造 ,  *化学的安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電場 ,  ホスホレン ,  化学的安定性