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J-GLOBAL ID：201702239393017217   整理番号：17A0759324

パターン化された70/30鉛マグネシウムNiobate-鉛チタン酸塩薄膜におけるDeclamped圧電係数【Powered by NICT】

Declamped Piezoelectric Coefficients in Patterned 70/30 Lead Magnesium Niobate-Lead Titanate Thin Films

著者 (9件)： Keech Ryan (Department of Materials Science and Engineering and the Materials Research Institute, Penn State University, University Park, PA, 16802, USA) ,  Ye Linghan (Department of Materials Science and Engineering and the Institute of Materials Science, University of Connecticut, Storrs, CT, 06469, USA) ,  Bosse James L. (Department of Materials Science and Engineering and the Institute of Materials Science, University of Connecticut, Storrs, CT, 06469, USA) ,  Esteves Giovanni (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27607, USA) ,  Guerrier Jonathon (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27607, USA) ,  Jones Jacob L. (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, NC, 27607, USA) ,  Kuroda Marcelo A. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, AL, 36849, USA) ,  Huey Bryan D. (Department of Materials Science and Engineering and the Institute of Materials Science, University of Connecticut, Storrs, CT, 06469, USA) ,  Trolier-McKinstry Susan (Department of Materials Science and Engineering and the Materials Research Institute, Penn State University, University Park, PA, 16802, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201605014  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブランケット圧電薄膜の横方向の細分化が固有応答の増大したドメイン壁移動度・解除の両方を介した機能的特性を増加させた。本研究では,70/30組成(70PMN 30PT)で300nmの厚さの,菱面体晶,{001}配向鉛マグネシウムniobate-鉛チタン酸塩薄膜の圧電係数d_33,fに及ぼす基板解除の局所効果を提示した。白金処理したSi基板上に化学溶液堆積により成長させた膜は幅が0.75~9μmの範囲のストリップ構造にパターン形成した。縦圧電係数,d_33,f,は三つの方法:有限要素モデリング,圧電応答力顕微鏡,とナノプローブシンクロトロンX線回折によりパターン化された構造を横断する位置の関数として調べた。d_33,fが200kV cm~ 1励起下で自由側壁で40 50の固定値から増加する≒160pm V~~ 1であることが分かった。側壁は,部分的に圧電応答500 600nmをdeclampパターン化構造に,1μm以下(幅3~1厚さアスペクト比)横方向の大きさが特徴の中心での圧電応答を提起した。すべての三つの方法からの正規化データは非常に良く一致し,圧電係数とその解除挙動の磁場依存性への洞察を提供する定量的差があった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 三方晶系 ,  アスペクト比 ,  白金 ,  *パターン形成 ,  正規化 ,  励起 ,  移動度
準シソーラス用語： 磁場依存性 ,  圧電応答 ,  ナノプローブ ,  圧電応答力顕微鏡 ,  有限要素モデリング ,  化学溶液堆積 ,  シリコンウエハ ,  *圧電定数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強誘電材料 ,  パターン形成 ,  圧電材料 ,  鉛マグネシウムniobate-鉛チタン酸 ,  薄膜

分類 (3件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 鉛 ,  マグネシウム ,  チタン酸塩 ,  薄膜 ,  圧電係数