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J-GLOBAL ID：201702239530286489   整理番号：17A0470103

増強電流拡がりと光抽出のための高反射率ITO/DBR p型及びバイアホールベースn型コンタクトを備えたGaNベースフリップチップLED【Powered by NICT】

GaN-based flip-chip LEDs with highly reflective ITO/DBR p-type and via hole-based n-type contacts for enhanced current spreading and light extraction

著者 (7件)： Zhou Shengjun (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Zhou Shengjun (School of Mechanical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China) ,  Zheng Chenju (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Lv Jiajiang (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Gao Yilin (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Wang Ruiqing (Shenzhen Top Chip Technology Co., LTD, Shenzhen 518000, China) ,  Liu Sheng (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 92  ページ： 95-100  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高反射性のインジウム-すず酸化物(ITO)/分布Bragg反射器(DBR)p型接触と穴基礎n型接触を介したGaNベース二重層電極フリップチップ発光ダイオード(DLE FCLED)を実証した。TiO_2/SiO_2DBRと組み合わせた透明な薄いITOは反射p型Ohm接触に使用される,不透明な金属電極による光の吸収の顕著な減少をもたらした。穴基礎n型接触を介して微細に分布したp-GaNと多重量子井戸(MQW)活性層を通るバイアホールエッチングによるn-GaN層上に形成された,長さ横方向電流広がり減少をもたらしていると,電流集中効果を軽減した。DLE FCLEDの順方向電圧は,90mAで上部発光LEDのそれより0.31V低かった。DLE FCLEDの光出力パワーは90mAと300mAで上部発光LEDのそれよりも15.7%および80.8%高かった。上部発光LEDと比較して,DLE FCLEDの外部量子効率(EQE)は90mAと300mAで15.4%及び132%まで高められた。195.6cm~2で得られたDLE FCLEDの最大光出力パワーは93A/cm~2で得られた上部発光LEDのそれよりも1.33倍大きかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Ohm接触 ,  *反射率 ,  *フリップチップ法 ,  *窒化ガリウム ,  発光ダイオード ,  多重量子井戸 ,  酸化スズ ,  発光 ,  *電流 ,  活性層
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  光出力 ,  電流集中 ,  金属電極 ,  分布Bragg反射器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： 増強 ,  拡がり ,  高反射率 ,  ITO ,  DBR ,  バイアホール ,  コンタクト ,  GaN ,  チップLED