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J-GLOBAL ID:201702239531059302   整理番号:17A0399725

いくつかの酸化物結晶中のガス包有物の濃度と組成【Powered by NICT】

Concentration and composition of gas inclusions in some oxide crystals
著者 (7件):
資料名:
巻: 459  ページ: 189-193  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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結晶中の密閉空洞への融体中に含まれるガス不純物の濃度の法を初めて提案した。これはエッジ形成膜供給成長(EGF)技術と結晶内空洞内のガス圧による結晶化中の融液中に溶解したガスの量を決定することが可能である。Al_2O_3,Y_3Al_5O_12とBi_4Ge_3O_12の結晶化融液中のガス介在物の組成を測定し,結晶の結晶成長法と品質に関連してそれを考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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著者キーワード (5件):
分類 (2件):
分類
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半導体の結晶成長  ,  酸化物の結晶成長 
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