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J-GLOBAL ID：201702239534592417   整理番号：17A0704519

サファイア基板の(0006)表面上の酸化バナジウム薄膜の種々のエピタキシャル,集合組織多形の容易な合成【Powered by NICT】

Facile synthesis of various epitaxial and textured polymorphs of vanadium oxide thin films on the (0006)-surface of sapphire substrates

著者 (7件)： Hong Bin (National Synchrotron Radiation Laboratory, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230029, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhao Jiangtao ,  Hu Kai ,  Yang Yuanjun ,  Luo Zhenlin ,  Li Xiaoguang ,  Gao Chen
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 36  ページ： 22341-22346  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広範な注意を情報とオプトエレクトロニクスデバイスへの応用と同様に,エネルギー収穫技術に用いられるそれらの可能性のために酸化バナジウム多形が注目されている。しかし,酸化バナジウムは常に非常に複雑な相図を形成する;特に,低コスト,透明とウエハスケール基板上に純粋な酸化バナジウムエピタキシャル多形を合成することはまだ困難である。ここでは,特異的な基板方位を選ぶことなくサファイアの(0006)表面上での酸化バナジウム(VO_2(R,M1およびそれらの混合相),とV_2O_3)および(001)組織化したVO_2(B)薄膜のエピタキシャル多形の成長を実証した。これはマグネトロンスパッタリング法を用いた酸素の分圧によるバナジウム原子のスパッタリングパワーと酸化,サファイア基板上に酸化バナジウム薄膜のウエハスケール生産を可能にするによるバナジウム到着率を制御することによって達成される。種々の多形の成長相図もバナジウム酸化物薄膜に基づく導波デバイス設計のために開発した。本研究では,化学的に安定で,透明で低コストのサファイア基板上に酸化バナジウム薄膜の実用化への道を開くものである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *バナジウム ,  状態図 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *集合組織 ,  *酸化バナジウム ,  酸素 ,  *サファイア ,  *薄膜 ,  分圧
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  混合相 ,  エネルギーハーベスティング ,  光電子デバイス ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア基板 ,  酸化バナジウム ,  薄膜 ,  エピタキシャル ,  集合組織 ,  多形