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J-GLOBAL ID：201702239853774046   整理番号：17A0535142

プロトンドープフォトニック結晶の垂直共振器の発光レーザを調製した。【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of proton-implanted photonic crystal vertical cavity surface emitting laser

著者 (6件)： Jiang Guoqing (Key Laboratory of Optoelectronics Technology, Ministry of Education, College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Xu Chen (Key Laboratory of Optoelectronics Technology, Ministry of Education, College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Xie Yiyang (Key Laboratory of Optoelectronics Technology, Ministry of Education, College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Xun Meng (Key Laboratory of Optoelectronics Technology, Ministry of Education, College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Cao Yapeng (Institute of Semiconductors, Chinese Academic of Sciences) ,  Chen Hongda (Institute of Semiconductors, Chinese Academic of Sciences)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 45  号： 12  ページ： 1205001-1-1205001-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： フォトニック結晶垂直共振器の発光レーザにおいて、陽子注入技術を採用して、メサプロセスを純平面プロセスに変え、フォトニック結晶構造の調製難度を低下させ、デバイスを簡単化し、デバイスの均一フォトニック結晶の垂直共振器におけるフォトニック結晶構造は,電流制限穴がフォトニック結晶よりも小さいとき,デバイスのビーム電流とモード特性を制御することができ,デバイスの閾値電流を最適化し,実験で設計したデバイスは、注入電流が12.5MA以下の場合、閾値電流2.1MA、光パワーが1MWより大きく、遠方界発射角が7FLより小さく、光子結晶構造が陽子注入表面のレーザーにおけるData from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *共振器 ,  簡素化 ,  最適化 ,  *発光 ,  電流制限 ,  電流 ,  *レーザ ,  *フォトニック結晶 ,  遠方場 ,  陽子
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  ビーム電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： proton-implanted ,  photonic crystal ,  VCSEL

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶 ,  垂直 ,  共振器 ,  レーザ ,  調製