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J-GLOBAL ID：201702239859464450   整理番号：17A0158784

高効率の有機金属化学気相成長法によるGaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge4接合太陽電池の試作【Powered by NICT】

GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge Four-Junction Solar Cell Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition with High Efficiency

著者 (8件)： Zhang Yang (Institute of Laser Engineering, Beijing University of Technology) ,  Wang Qing (Institute of Laser Engineering, Beijing University of Technology) ,  Zhang Xiaobin (Redsolar New Energy Technology Co. Ltd.) ,  Liu Zhenqi (Redsolar New Energy Technology Co. Ltd.) ,  Chen Bingzhen (Redsolar New Energy Technology Co. Ltd.) ,  Huang Shanshan (Redsolar New Energy Technology Co. Ltd.) ,  Peng Na (Redsolar New Energy Technology Co. Ltd.) ,  Wang Zhiyong (Institute of Laser Engineering, Beijing University of Technology)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 10  ページ： 108801_01-108801_05  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着法によるGe基板上に格子整合したGaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge(1.88eV/1.42eV/1.05eV/0.67eV)四接合(4J)太陽電池を成長した。GaInNAsサブセルの電流限界を解決するために,著者らは三種類の反射防止膜の設計とGaInNAsサブセルのベース領域の厚さを調整する。一連の実験により開発されたGaInNAsサブ電池の外部量子効率が80%を超えると,その電流密度は11.24mA~2に達した。4J太陽電池の電流限界は著しく改善された。さらに,1太陽A MOスペクトル下で4JとGaInP/GaInAs/Ge太陽電池の試験結果の相違を検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *太陽 ,  格子整合 ,  *電池 ,  *MOCVD ,  スペクトル ,  *太陽電池 ,  電流制限 ,  電流密度 ,  反射防止膜
準シソーラス用語： *InGaP ,  外部量子効率 ,  *ヒ化窒化ガリウムインジウム ,  ゲルマニウム基板 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高効率 ,  有機金属化学気相成長法 ,  GaInP ,  GaInAs ,  GaInNAs ,  太陽電池 ,  試作