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J-GLOBAL ID：201702240010785939   整理番号：17A0492525

SiO₂上の2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b]ベンゾチオフェン(C8-BTBT)の電子構造と膜成長の相関

The correlations of the electronic structure and film growth of 2,7-diocty[1]benzothieno[3,2-b]benzothiophene (C8-BTBT) on SiO₂

著者 (9件)： Lyu Lu (Institute of Super-microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, Central South University, No. 605 Lushan South Road, Changsha, Hunan 410012, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Niu Dongmei ,  Xie Haipeng ,  Zhao Yuan ,  Cao Ningtong ,  Zhang Hong ,  Zhang Yuhe ,  Liu Peng ,  Gao Yongli
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 2  ページ： 1669-1676  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外光電子分光法(UPS),X線光電子分光法(XPS),原子間力顕微鏡法(AFM),および小角X線回折(SAXD)測定を組み合わせて,酸化シリコン(SiO₂)上の2,7-ジオクチ[1]ベンゾチエノ[3,2-b]ベンゾチオフェン(C8-BTBT)の電子構造,膜成長,および分子配向の相関を系統的に調べた。AFM分析から,より薄い膜のクラスタにおける不規則に配向した分子の,より厚い膜の島の高度に秩序立った立ち上がり分子への相転移を示した。SAXDのピークは,島の起立構成を一貫して支えた。膜厚の分子配向の秩序化の増加は,形状の変化および最高占有分子軌道(HOMO)の前縁の低下に寄与した。高度に規則正しく置かれた分子の末端メチルは,厚さが増すにつれて仕事関数(WF)を減少させる外側指向双極子層を形成した。HOMOの下方へのシフトおよびWFの減少により,従来にない下方バンドの曲がり,およびイオン化ポテンシャル(IP)が減少した。分子の配向秩序,膜成長,および界面電子構造の相関により,C8-BTBT薄膜系の電界効果トランジスタの性能を改善するための有用な設計戦略を提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *電子構造 ,  *薄膜成長 ,  *硫黄複素環化合物 ,  光電子分光法 ,  X線光電子分光法 ,  顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  分子配向 ,  膜厚 ,  仕事関数 ,  イオン化ポテンシャル
準シソーラス用語： UPS【電子分光】 ,  *ベンゾチオフェン誘導体 ,  界面電子構造 ,  原子間力顕微鏡法 ,  *膜成長

分類 (3件)： 硫黄複素環化合物一般  (CF07030V) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

物質索引 (1件)： C₈-BTBT

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  ベンゾチオフェン ,  C8 ,  電子構造 ,  膜成長 ,  相関