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J-GLOBAL ID：201702240158820139   整理番号：17A0749386

バルク中のBiドーピングによる制御されたPb_1-xSn_xTe(111)トポロジカル結晶絶縁体膜における巨大Rashba分裂【Powered by NICT】

Giant Rashba Splitting in Pb_{1- x}Sn_xTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk

著者 (16件)： Volobuev Valentine V. (Institute for Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Universitaet, Altenberger Str. 69, 4040, Linz, Austria) ,  Volobuev Valentine V. (National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Frunze Str. 21, 61002, Kharkiv, Ukraine) ,  Mandal Partha S. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Albert-Einstein Str. 15,, 12489, Berlin, Germany) ,  Galicka Marta (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02-668, Warszawa, Poland) ,  Caha Ondrej (Department of Condensed Matter Physics, Masaryk University, Kotlarska 2, 61137, Brno, Czech Republic) ,  Sanchez-Barriga Jaime (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Albert-Einstein Str. 15,, 12489, Berlin, Germany) ,  Di Sante Domenico (Consiglio Nazionale delle Ricerche CNR-SPIN, Via dei Vestini 31, 66100, Chieti, Italy) ,  Di Sante Domenico (Institut fuer Physik und Astrophysik, Universitaet Wuerzburg, Am Hubland Campus Sued, Wuerzburg, 97074, Germany) ,  Varykhalov Andrei (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Albert-Einstein Str. 15,, 12489, Berlin, Germany) ,  Khiar Amir (Institute for Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Universitaet, Altenberger Str. 69, 4040, Linz, Austria) ,  Picozzi Silvia (Consiglio Nazionale delle Ricerche CNR-SPIN, Via dei Vestini 31, 66100, Chieti, Italy) ,  Bauer Guenther (Institute for Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Universitaet, Altenberger Str. 69, 4040, Linz, Austria) ,  Kacman Perla (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02-668, Warszawa, Poland) ,  Buczko Ryszard (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02-668, Warszawa, Poland) ,  Rader Oliver (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie, Albert-Einstein Str. 15,, 12489, Berlin, Germany) ,  Springholz Gunther (Institute for Semiconductor and Solid State Physics, Johannes Kepler Universitaet, Altenberger Str. 69, 4040, Linz, Austria)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201604185  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛-すずカルコゲナイドトポロジカル結晶絶縁体のトポロジー的性質を温度と組成により広く調整可能である。エピタキシャルPb_1-xSn_xTe(111)膜のバルクBiドーピングはドーピングレベルによって調整できることを表面での巨大Rashba分裂を誘起することを示した。緊密結合計算は,表面でのトラップ状態によるFermi準位ピン止めとしてそれらの起源を同定した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *絶縁体 ,  ピン止め ,  *ビスマス ,  位相幾何学 ,  エピタクシー ,  *結晶 ,  Fermi準位

著者キーワード (5件)： 光電子放出分光法 ,  IV-VI族半導体 ,  分子ビームエピタクシー ,  Rashba効果 ,  結晶絶縁体

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： バルク ,  Bi ,  ドーピング ,  トポロジカル結晶絶縁体