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J-GLOBAL ID：201702240223552340   整理番号：17A0591705

Siナノワイヤイオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)ベースのバイオセンサに関するpH依存電流ドリフトの解析とモデリング

Analysis and Modeling on the pH-Dependent Current Drift of Si Nanowire Ion-Sensitive Field Effect Transistor (ISFET)-Based Biosensors

著者 (10件)： JANG Jungkyu (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jungmok (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Seohyeon (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  MO Hyun-Sun (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dong Myung (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Sung-Jin (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dae Hwan (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dae Hwan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Jisun (Kookmin Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3146-3150  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイオセンサに関する開発研究の一環として,本論文では,Siナノワイヤイオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)ベースのバイオセンサについて,pH依存電流ドリフトの解析とモデリングを報告した。主な研究対象は,水素イオンの位置に依存する短期および長期反応の効果である。著者らは,さらに,トップダウン処理した上記ISFETにおいて,異なるpHレベルおよび様々な素子サイズに対して,ドレイン電流および閾値電圧に関する解析的ドリフトモデルを提示した。著者らの示した結果は,高分解能バイオセンサシステムに対する回路設計に有用であることを指摘した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  *バイオセンサ ,  pH依存性 ,  ドリフト ,  回路設計 ,  高分解能 ,  電流 ,  電圧 ,  モデリング ,  解析モデル ,  指数関数
準シソーラス用語： *イオン感応性電界効果トランジスター ,  ドレイン電流 ,  閾値電圧 ,  引き伸ばされた指数関数

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  ナノワイヤ ,  イオン感応性電界効果トランジスタ ,  ISFET ,  バイオセンサ ,  pH ,  ドリフト ,  解析 ,  モデリング