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J-GLOBAL ID:201702240334706358   整理番号:17A0666165

相変化メモリにおける状態非対称駆動状態再マッピング【Powered by NICT】

State Asymmetry Driven State Remapping in Phase Change Memory
著者 (7件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 27-40  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0142C  ISSN: 0278-0070  CODEN: ITCSDI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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相変化メモリ(PCM)は,ディープサブミクロン領域における主メモリとしてDRAMを代替する最も有望な候補の一つである。単一準位または多準位細胞に関係なく,各状態へのプログラミングコストは潜時,エネルギーと耐久性の顕著な非対称性を示した。本論文では,状態再マッピングによるPCMの待ち時間,エネルギー,および耐久性の観点からプログラミングコストを低減する可能性を利用した。最初に,定量的計画モデルをコスト評価のために構築した。,動的および静的再写像スキームを解析し,比較した。動的状態再マッピング通信の有効性である不安定という観察結果は,静的再写像技法,はるかに低い実装オーバヘッドでコストダウンの以前の研究よりも性能が優れているを提案した。提案した静的状態再マッピングの最適性も証明した。評価結果は,待ち時間,エネルギー,および摩耗で安定であり,有望なコスト削減における提案した状態再マッピング法の有効性を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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集積回路一般  ,  半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (3件):
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