文献

J-GLOBAL ID：201702240431697452   整理番号：17A0345841

GANベースのLEDアレイの発光特性と発光特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Luminescent Property of GaN Based Light-emitting Diodes with Array Nanorods Structure

著者 (8件)： Zhi Ting (Electronic Science and Technology,Nanjing University) ,  Tao Tao (Electronic Science and Technology,Nanjing University) ,  Liu Bin (Electronic Science and Technology,Nanjing University) ,  Zhuang Zhe (Electronic Science and Technology,Nanjing University) ,  Xie Zili (Electronic Science and Technology,Nanjing University) ,  Chen Peng (Electronic Science and Technology,Nanjing University) ,  Zhang Rong (Electronic Science and Technology,Nanjing University) ,  Zheng Youdou (Electronic Science and Technology,Nanjing University)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 12  ページ： 1538-1544  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GAN材料中の時代誘起量子STOKES効果を低減するために,デバイスのソース領域内の電子-正孔波動関数の実空間における重なりを増加させ,GANベースLEDの発光効率を向上させ,UV-軟圧印技術を用いて,周期的ナノピラー構造を作製した。従来のLEDMEMS技術と結合して,INGAN/GANベースの青色光ととのLEDデバイスを得て,それらの特性を解析した。結果は以下を示す。ナノピラーのLEDデバイスは均一な発光と安定した光電性能を有する。ナノ構造は,量子井戸中の応力蓄積(緩和~70%)を効果的に緩和するだけでなく,デバイスの放射の複合確率と効率を向上させ,同時に側壁の化学的不動態化処理と結合して,デバイスの欠陥密度を減少させる。それは,LEDデバイスの漏れ電流(10(-7))を著しく減少させ,最終的にデバイスの発光効率を向上させる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子井戸 ,  欠陥密度 ,  *青色光 ,  緩和現象 ,  漏れ電流 ,  正孔 ,  圧印加工 ,  ナノ構造 ,  波動関数 ,  不動態化
準シソーラス用語： ナノピラー ,  発光効率 ,  実空間 ,  *発光特性 ,  *LEDアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaN/GaN ,  light-emitting diodes ,  nanorods ,  nanoimprint lithography

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  LEDアレイ ,  発光特性 ,  研究