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J-GLOBAL ID：201702240506701803   整理番号：17A0509836

H:Si(100)上へ剥離した溶液合成シェブロングラフェンナノリボン

Solution-Synthesized Chevron Graphene Nanoribbons Exfoliated onto H:Si(100)

著者 (6件)： RADOCEA Adrian (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  SUN Tao (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  VO Timothy H. (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  SINITSKII Alexander (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  ALURU Narayana R. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  LYDING Joseph W. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 1  ページ： 170-178  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H:Si(100)上にシェブロン構造をしたグラフェンナノリボン(GNRs)を溶液合成的に原子の精度で,高真空下で清浄堆積させた。走査電子顕微鏡(STM)ナノリソグラフィーで高分解のイメージングとGNR-Si相互作用を調べ,半導体から金属への転位の機構を明らかにした。また,これまで報告されたことのないシェブロンナノリボンの電子構造についても,その詳細を明らかにし,密度汎関数理論(DFT)シミュレーションの結果と比較した。

シソーラス用語： ケイ素 ,  結晶面 ,  *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  走査電子顕微鏡 ,  リソグラフィー ,  *電子構造 ,  計算 ,  密度汎関数法 ,  *表面構造
準シソーラス用語： *グラフェンナノリボン ,  ナノリソグラフィー ,  *表面電子構造 ,  密度汎関数理論計算

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  溶液