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J-GLOBAL ID:201702240658714272   整理番号:17A0729373

ZNO/ZNO共ドープP型ZNO膜の形成機構と性質を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Formation Mechanism and Properties of In,P Codoped p-type ZnO Thin Film
著者 (10件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 12-18  発行年: 2009年02月 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ZNO/IN共ドープZNO薄膜(ZNO:IN,P)を,高周波マグネトロンスパッタリングにより石英基板上に成長させ,ZNO(IN_2O_5)と酸化インジウム(IN_2O_3)をドープした酸化亜鉛(ZNO)セラミックターゲットを調製した。ARとO_2の混合ガスは,それぞれ1.5%と0.3%の質量分率で混合した。ZNO薄膜は絶縁性であり,600°Cで5MINアニールした後に導電型はN型であるが,800°Cで5MINアニールするとP型になり,P型ZNO薄膜の抵抗率,キャリア濃度及びHALL率はそれぞれ12.4ΩCMであった。1.6×10(17)CM(-3)と3.29CM2V(-1)S(-1)のX線回折の結果は,すべてのサンプルが(002)回折ピークを持ち,同じ条件で成長した未ドープZNOと比較して,大きな方向にシフトすることを示した。結果は,INとPがZNサイトを占有することを意味し,XPSの結果によると,共ドープZNO薄膜におけるPは置換Oではなく置換ZNであることを示した。そのため、ZNO/ZNO共ドープZNO薄膜において、INとPはいずれもZNを置換し、しかもP_ZNと2つの亜鉛空孔(V_ZN)はP_ZN-2V_ZN複合アクセプタを形成し、薄膜はP型である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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