文献

J-GLOBAL ID：201702240673396785   整理番号：17A0330298

Bi_0.92-xHo_0.08Sr_xFe_0.97Mn_0.03O₃薄膜の構造特性とマルチフェロイック特性

Structural and multiferroic properties of Bi_0.92-x Ho_0.08Sr_x Fe_0.97Mn_0.03O₃ thin films

著者 (6件)： TAN Guoqiang (Shaanxi Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  YANG Wei (Shaanxi Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  YE Wei (Shaanxi Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  YUE Zhongwei (Shaanxi Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  REN Huijun (Shaanxi Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN) ,  XIA Ao (Shaanxi Univ. Sci. and Technol., Xi’an, CHN)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 5  ページ： 2694-2704  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法でフッ素ドープ酸化スズガラス基板上にBi_0.92-xHo_0.08Sr_xFe_0.97Mn_0.03O₃薄膜を堆積し特性を調べた。Sr²⁺ドープにより薄膜の構造は菱面体の中で空間群がR3c:HからR3m:Rに変わる。xが0~0.04の薄膜の強誘電分域構造が強誘電相と反強誘電相から強誘電相に変わると保磁力が増加する。これは薄膜中の欠陥双極子が増加したためである。536kV/cmの電場を与えた時の薄膜の残留分極と保磁力および8000Oeの磁場を与えた時の磁化を調べた。その結果,薄膜が強いマルチフェロイック特性をもつことが明らかになった。この特性は,主として相境界におけるR3c:H(51%)/R3m:R(49%)空間群の菱面体構造に関係している。

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  ホルミウム化合物 ,  鉄酸塩 ,  マンガン化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  金属イオン ,  ドーピング ,  添加物効果 ,  ガラス ,  酸化スズ ,  フッ素 ,  *薄膜 ,  三方晶系 ,  空間群 ,  強誘電性 ,  分域構造 ,  保磁力 ,  反強誘電性 ,  電気双極子 ,  複合欠陥 ,  電場効果 ,  磁場効果 ,  残留分極 ,  磁化 ,  *強誘電体 ,  *磁性体 ,  相境界
準シソーラス用語： FTOガラス ,  ストロンチウムイオン ,  *マルチフェロイクス ,  欠陥双極子

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  構造特性 ,  マルチフェロイック