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J-GLOBAL ID：201702240756342416   整理番号：17A0077743

めっき層の均一性と膜/基質結合強度に及ぼす正のオームの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effects of Volt-Ampere Characteristics in Positive-Ohm and Anti-Ohm Sections on Coating Uniformity and Film-Substrate Adhesion Strength

著者 (5件)： Feng Lin (Xi’an University of Technology) ,  Jiang Bailing (Xi’an University of Technology) ,  Yang Chao (Xi’an University of Technology) ,  Hao Juan (Xi’an University of Technology) ,  Zhang Tonghui (Xi’an University of Technology)
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 45  号： 9  ページ： 2458-2461  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ターゲットととの間のボルタンメトリー特性を正-逆オーム遷移区間に導入し、パルス制御モードを用いて、不均一電流密度がめっき層の均一性と膜/基結合強度に与える影響規則を研究した。実験結果は,ターゲット電流密度(I_D)が0.083A/CM2から0.175A/CM2に増加するとき,ターゲット電流密度の増加が直線的に増加することを示した。対応するめっき層の厚さは差ΜMから14.011ΜMに増加した。しかし,I_Dが0.175A/CM2から0.25A/CM2に増加すると,ターゲット電流密度は直線的に減少し,対応するめっき層の厚さは差ΜMから10.077ΜMに減少した。膜厚さは減少(I_D=0.083A/CM2)から89.491%(I_D=0.25A/CM2)に減少した。また,反欧姆区/膜では,膜/基結合強度はI_Dの増大と共に急速に増大した。以上の結果を示した。逆オーム環境下では,めっき層の均一性を改善し,膜/基質結合強度を向上させることができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ボルタンメトリー ,  高速度 ,  *基質 ,  パルス ,  *付着強さ ,  電流密度 ,  膜厚 ,  *めっき皮膜

著者キーワード (4件)： magnetron sputtering ion plating ,  voltage characteristics ,  anti-ohm section ,  ionization rate

分類 (2件)： 溶融めっき  (WC08026A) ,  電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (6件)： めっき層 ,  均一性 ,  基質 ,  結合強度 ,  オーム ,  研究