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J-GLOBAL ID：201702241084286893   整理番号：17A0071223

MOVPE成長M面GAN薄膜の表面吸着研究【JST・京大機械翻訳】

Study on Surface Adsoption of m-plane GaN Grown by MOVPE

著者 (4件)： Zuo Chaochao (School of Energy and Power Engineering,Jiangsu University) ,  Zuo Ran (School of Energy and Power Engineering,Jiangsu University) ,  Tong Yuzhen (Wide Bandgap Semiconductor Research Center,School of Physics,Peking University) ,  Zhang Guoyi (Wide Bandgap Semiconductor Research Center,School of Physics,Peking University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 45  号： 8  ページ： 2022-2027,2033  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づくMATERIALS STUDIOにおけるCASTEPモジュールを用いて,金属有機物気相エピタキシャル成長によるM面GAN薄膜の表面反応前駆体の吸着過程を研究した。表面上の吸着_3とNH_3の初期吸着サイトについて,表面上のGACH_3とNH_3の吸着エネルギー,隣接原子の距離,状態密度,電荷密度分布,電子ポピュレーションを最適化した。計算結果によると、GACH_3は表面GA BRG2位の最適化後の位置が最も安定で、吸着エネルギーが最も低く、GACH_3中のGA原子と表面の隣接するN原子、GA原子はそれぞれGA-N、GA-GA共有結合を形成する。NH_3は,N2/N2の表面上で最も安定であり,吸着エネルギーは最も低く,NH_3中のN原子は,表面近傍のGA原子と,N-GA共有結合を形成した。最適吸着サイトにおけるMMG中のGA原子とNH_3中のN原子と表面原子の電荷分布を比較することにより,これらの吸着粒子が表面と確実に共有結合し,共有結合を形成することを証明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  最適化 ,  表面反応 ,  *MOCVD ,  吸着エネルギー ,  共有結合 ,  *薄膜 ,  状態密度 ,  電荷分布 ,  *吸着 ,  気相成長
準シソーラス用語： 電荷密度分布 ,  吸着サイト ,  CASTEP ,  *表面吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： m-plane GaN ,  MOVPE ,  surface adsorption ,  density functional theory

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  成長 ,  GaN ,  薄膜 ,  表面吸着 ,  研究