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J-GLOBAL ID：201702241194457160   整理番号：17A0071200

低温で調製した窒化ケイ素薄膜を,低温で調製した。【JST・京大機械翻訳】

Preparation of B-doped nc-Si:H Ultrathin Film Deposited by HWCVD under Low Temperature

著者 (5件)： Guo Yukun (Univercity of Chinese Academy of Science) ,  Zhou Yurong (Univercity of Chinese Academy of Science) ,  Chen Zhenyi (China University of Geosciences of Beijing (Beijing)) ,  Ma Ning (China University of Geosciences of Beijing (Beijing)) ,  Liu Fengzhen (Univercity of Chinese Academy of Science)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 45  号： 8  ページ： 2003-2010  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低温(100°C)において,熱化学的気相堆積(HWCVD)によって,超薄膜(~30NM)の硼Can雑硅薄膜を調製した。膜の微細構造と電気的性質に及ぼす水素希釈比R_Hの影響を系統的に研究した。R_Hが55から115に増加すると,膜の規則度は増加し,結晶度は増加し,キャリア濃度は増加し,暗伝導率は増加した。同時に,薄膜の欠陥密度は増加し,HALL率は低下した。実験結果は,R_H=55~70のとき,超薄硅薄膜が結晶化し始め,これは,ナノ結晶の変換領域であることを示した。さらに,高速熱アニーリングは,膜の電気伝導率をさらに向上させた。R_H=115,基板温度100°Cの条件下で,420°C,80Sでアニールし,電気伝導率は6であった。88S/CMの超薄硼ドープケイ素薄膜を調製した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 規則度 ,  ドーピング ,  欠陥密度 ,  *薄膜 ,  *低温 ,  RTA【熱処理】 ,  結晶度 ,  *窒化 ,  電気伝導率 ,  キャリア密度 ,  ナノ結晶 ,  基板温度 ,  暗伝導 ,  超薄膜
準シソーラス用語： *シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HWCVD ,  Si thin film ,  nc-Si: H ,  B-doping ,  electric property

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  調製 ,  窒化 ,  ケイ素薄膜