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J-GLOBAL ID：201702241426400986   整理番号：17A0385679

(111)および(001)配向LaNiO₃/LaMnO₃超格子における電荷移動誘起磁気交換バイアスおよび電子局在化

Charge transfer-induced magnetic exchange bias and electron localization in (111)- and (001)-oriented LaNiO₃/LaMnO₃ superlattices

著者 (8件)： Wei Haoming (Felix-Bloch-Institut fuer Festkorperphysik, Universitaet Leipzig, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany) ,  Barzola-Quiquia Jose Luis (Felix-Bloch-Institut fuer Festkorperphysik, Universitaet Leipzig, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany) ,  Yang Chang (Felix-Bloch-Institut fuer Festkorperphysik, Universitaet Leipzig, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany) ,  Patzig Christian (Center fuer angewandte Mikrostrukturdiagnostik, Fraunhofer-Institut fuer Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen, Walter-Huelse-Straβe 1, D-06120 Halle, Germany) ,  Hoche Thomas (Center fuer angewandte Mikrostrukturdiagnostik, Fraunhofer-Institut fuer Mikrostruktur von Werkstoffen und Systemen, Walter-Huelse-Straβe 1, D-06120 Halle, Germany) ,  Esquinazi Pablo (Felix-Bloch-Institut fuer Festkorperphysik, Universitaet Leipzig, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany) ,  Grundmann Marius (Felix-Bloch-Institut fuer Festkorperphysik, Universitaet Leipzig, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany) ,  Lorenz Michael (Felix-Bloch-Institut fuer Festkorperphysik, Universitaet Leipzig, Linnestr. 5, D-04103 Leipzig, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 10  ページ： 102403-102403-5  発行年： 2017年03月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 電子密度 ,  局在状態 ,  電荷移動 ,  *超格子 ,  ニッケル酸塩 ,  *ランタン化合物 ,  マンガン酸塩 ,  結晶方位 ,  *磁性薄膜 ,  *バイアス ,  X線回折 ,  写像 ,  RHEED ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  磁気ヒステリシス ,  金属-絶縁体転移 ,  ニッケル酸ランタン ,  マンガン酸ランタン
準シソーラス用語： *交換バイアス ,  逆格子写像

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 配向 ,  LaNiO3 ,  超格子 ,  電荷移動 ,  誘起 ,  磁気 ,  交換バイアス ,  電子 ,  局在化