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J-GLOBAL ID：201702241486889874   整理番号：17A0089981

等温点及びバックゲートバイアス制御を用いた広温度領域対応ISFETアレイの解析

Analysis of Wide-Range-Temperature Compensation Using Isothermal-Point and Back-Gate-Bias-Control for ISFET-Array

著者 (3件)： 多木真 (東京理大 工) ,  XU Zule (東京理大 工) ,  河原尊之 (東京理大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 364(ICD2016 51-99)  ページ： 155-160  発行年： 2016年12月08日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高感度なpHセンサであるISFETは半導体技術の進歩により容易にアレイ化でき,製造,農業,医療,食品,環境などの分野で応用が期待させている。しかしISFETは温度変化の影響を受け,pH測定精度が劣化してしまう,IoT社会にて様々な温度条件でのpH値を管理・監視が想定されるため,広い温度領域に対応する必要がある。そこで本研究では温度補償法として,ISFETの温度特性の測定及び分析に基づき,温度変化の影響を受けないドレイン電流(等温点電流)の値に設定する方法とFDSOI構造によるバックゲートバイアス制御を用いて温度補償する方法の二つを提案する。この提案方式を実現する回路を組み上げ,65nmプロセスSpiceモデルを用いて,その動作と温度補償効果を検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ISFET ,  *pHセンサ ,  *センサアレイ ,  相互接続 ,  *SOI構造 ,  モデル
準シソーラス用語： *バックゲート ,  IoT ,  FDSOI ,  SPICEモデル

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分析機器  (CC02020S) ,  酸塩基平衡  (CB04020D)

タイトルに関連する用語 (6件)： バック ,  ゲートバイアス ,  温度領域 ,  ISFET ,  アレイ ,  解析